Diode Semiconductor Device

104 4114 156311

(NSN) 國家庫存號碼

5961-00-865-2063

聯邦供應分類

5961 半導體器件和相關硬體

項目名稱代碼

20589

Schedule B 代碼

8541100070

摘要

最小 0.800 英寸總長度和 0.840 英寸最大總長度，最小 0.292 英寸和最大總直徑 0.296 英寸，端子安裝方法，提供氣密外殼功能，80.0 最大反向電壓，暫態和 60.0 最大反向電壓，每個特性的峰值額定電壓（以伏特為單位），1.00 安培最大正向電流，直流和 250.00 毫安最大平均導通電流， 180 度導通角，每個特性在整個 60 Hz 週期內的平均額定電流

DAC	HCC	DMIL	RNCC
1	-	-	5

RNVC	SADC	MSDS	RNAAC
9	-	-	ZG

識別

一種具有不對稱電壓 - 電流特性的雙電極半導體器件。可能包括也可能不包括安裝硬體和/或散熱器。不包括：發光二極體和半導體器件、照片。對於包含硒和氧化銅等材料的物品，參見 recifier， metallic（金屬）。

INC	FIIG	Concept	Condition
20589	A110A0	1	1

規格

總長度

最小 0.800 英寸和最大 0.840 英寸

詳細資訊

沿縱軸測量的尺寸，在專案的極端處具有終止點。

總直徑

最小0.292英寸和最大0.296英寸

詳細資訊

跨圓形橫截面平面的最長直線的測量值。

安裝方法

終端

詳細資訊

附加項的方法。

提供的功能

密封外殼

詳細資訊

那些未特別說明的，可能是物品正常運行所必需的特徵。

額定電壓（單位：每個特性的伏特）

80.0 最大反向電壓，暫態和 60.0 最大反向電壓，峰值

詳細資訊

可以施加的電壓值，以伏特表示，以及用於標識特定電氣特性的符號。

每個特性的額定電流

最大正向電流為 1.00 安培，直流電流和 250.00 毫安最大平均導通電流，180 度導通角，在整個 60 Hz 週期內平均

詳細資訊

電流水準和用於標識特定電氣特性的符號。

材料

陶瓷封閉

詳細資訊

製造物料的化合物或機械混合物屬性。

材料

矽半導體

詳細資訊

製造物料的化合物或機械混合物屬性。

端子類型和數量

1 個焊螺柱和 1 個凸耳，焊片

詳細資訊

指示用於提供電氣連接的端子的類型和數量。

主交叉參考列表

Part	CAGE	DAC	HCC	RNCC	RNVC	MSDS	RNAAC
JAN1N2970BA	C7191	6	-	5	9	-	ZG
352250010038	H0203	3	-	5	2	-	ZG
VBE890-1N2970B	H0203	1	-	5	2	-	ZG
5961PL0991950	9009H	9	-	6	9	-	WP
22-1845	K0215	2	-	5	9	-	ZK
22-1845	K0162	2	-	5	2	-	ZK
1N2970	04713	6	-	C	1	-	ZZ
48-14146A01	04713	5	-	C	1	-	TX
48-14146A01	94990	5	-	C	1	-	TX
10Z6-8T10	81483	5	-	C	1	-	48
4178600-379	05869	4	-	C	1	-	ZB
1N2970A	37942	6	-	C	1	-	ZZ
533	89022	5	-	C	1	-	TX
G181-616-0022	88818	4	-	C	1	-	TX
L03001	16236	E	-	5	9	-	ZZ
1N2970B	07688	6	-	C	1	-	ZZ
1N2970	81349	6	-	C	1	-	ZZ
1N2970A	81349	6	-	C	1	-	ZZ
1N2970B	81349	6	-	C	1	-	ZZ
JAN1N2970B	81349	E	-	2	2	-	BR
MIL-PRF-19500/124	81349	4	-	4	1	-	ZZ
MIL-S-19500/124	81349	3	-	5	9	-	TX
1N2970B	81350	6	-	C	1	-	ZZ
JAN1N2970B	81350	6	-	C	1	-	ZZ