Thyristor-Halbleiterbauelement
38800002
Interne Konfiguration des Sperrschichtkontakts, Silizium-Halbleitermaterial
DAC | HCC | DMIL | RNCC |
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6 | - | - | 3 |
RNVC | SADC | MSDS | RNAAC |
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2 | - | - | CL |
Eine bistabile Halbleiterbaurichtung mit drei oder mehr Sperrschichten, die normalerweise bis zum Anlegen eines Signals an einen Gate-Anschluss ein Nichtleiter ist, woraufhin die Vorrichtung in den leitenden Zustand wechselt. Umfasst Geräte, die in den nichtleitenden Zustand zurückgeschaltet werden können, wenn ein anderes Signal an dieselbe oder eine andere Gate-Klemme angelegt wird. Kann Montagematerial und/oder Kühlkörper enthalten, muss es aber nicht. Für Halbleiterbauelemente, die auf sichtbare oder infrarote Strahlungsenergie reagieren, siehe Halbleiterbauelement, Foto.
INC | FIIG | Concept | Condition |
---|---|---|---|
33096 | A110A0 | 1 | 1 |
Details
Ein Hinweis auf die innere Grundform des Artikels.Details
Die chemische Verbindung oder die mechanischen Gemischeigenschaften, aus denen der Halbleiter hergestellt ist.HMIC | PMIC | ESD/EMI | Criticality |
---|---|---|---|
N | A | A | - |
UFC | HMC | LTL | LCL |
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34525 | - | W | W |
RVC | WCC | TCC | SHC |
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1 | 72D | Z | 9 |
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