Dispositivo semiconductor de tiristores
38800002
Configuración interna del contacto de unión, material semiconductor de silicio
| DAC | HCC | DMIL | RNCC |
|---|---|---|---|
| 6 | - | - | 3 |
| RNVC | SADC | MSDS | RNAAC |
|---|---|---|---|
| 2 | - | - | CL |
Un dispositivo semiconductor biestable que comprende tres o más uniones que normalmente es no conductor hasta la aplicación de una señal a un terminal de puerta, momento en el cual el dispositivo cambia al estado conductor. Incluye dispositivos capaces de ser conmutados de nuevo al estado no conductor mediante la aplicación de una señal diferente al mismo terminal de puerta o a otro. Puede o no incluir hardware de montaje y/o disipador de calor. Para los dispositivos de estado sólido que responden a la energía radiante visible o infrarroja, consulte dispositivo semiconductor, foto.
| INC | FIIG | Concept | Condition |
|---|---|---|---|
| 33096 | A110A0 | 1 | 1 |
Detalles
Una indicación de la forma básica interna del artículo.Detalles
Las propiedades del compuesto químico o de la mezcla mecánica con la que se fabrica el semiconductor.| HMIC | PMIC | ESD/EMI | Criticality |
|---|---|---|---|
| N | A | A | - |
| UFC | HMC | LTL | LCL |
|---|---|---|---|
| 34525 | - | W | W |
| RVC | WCC | TCC | SHC |
|---|---|---|---|
| 1 | 72D | Z | 9 |
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